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二极管并联时注意静态截止电压和动态截止电压

1二极管串联

二极管串联时,必要留意静态截止电压和动态截止电压的对称散播。

在静态时,因为串联各元件的截止泄电流具有不合的制造误差,导致具有最小泄电流的元件遭遇了最大年夜的电压,以致达到擎住状态。但只要元件具有足够的擎住稳定性,则无需要在线路中采纳均压电阻。只有当截止电压大年夜于1200V的元件串联时,一样平常来说才有需要外加一个并联电阻。

假设截止泄电流不随电压变更,同时轻忽电阻的偏差,则对付n个具有给定截止电压VR的二极管的串联电路,我们可以获得一个简化的谋略电阻的公式:

以上Vm是串联电路中电压的最大年夜值,△Ir是二极管泄电流的最大年夜误差,前提是运行温度为最大年夜值。我们可以做一个安然的假设:

上式中,Irm是由制造商所给定的。使用以上预计,电阻中的电流大年夜约是二极管泄电流的六倍。

履历注解,当流经电阻的电流约为最大年夜截止电压下二极管泄电流的三倍时,该电阻值就是足够的。但纵然在此前提下,电阻中仍会呈现可不雅的损耗。

原则上,动态的电压散播不合于静态的电压散播。假如一个二极管pn结的载流子小时得比别的一个要快,那么它也就更早地遭遇电压。

假如轻忽电容的误差,那么在n个给定截止电压值Vr的二极管相串联时,我们可以采纳一个简化的谋略并联电容的措施:

以上△QRR是二极管存储电量的最大年夜误差。我们可以做一个充分安然的假设:

前提是所有的二极管均出自同一个制造批号。△QRR由半导系统体例造商所给出。除了续流二极管关断时呈现的存储电量之外,在电容中存储的电量也同样必要由正在开通的IGBT来接替。根据上述设计公式,我们发明总的存储电量值可能会达到单个二极管的存储电量的两倍。

一样平常来说,续流二极管的串联电流并不多见,缘故原由还在于存鄙人列附件的损耗源:

1、pn结的n重扩散电压;

2、并联电阻中的损耗;

3,必要由IGBT接替的附加存储电量;

4、由RC电路而导致的元件的增添。

以是在高截止电压的二极管可以被采纳时,一样平常不采纳串联规划。

独一的例外是当利用电路要求很短的开关光阴和很低的存储电量时,这两点恰正是地奈亚二极管所具备的。当然此时系统的通态损耗也会大年夜大年夜增添。

2二极管并联

二极管并联,并不必要附加的RC缓冲电路。紧张的是在并联时通态电压的误差应尽可能小。

判断一个二极管是否得当并联的紧张参数是其通态电压对温度的依附性。假如通态电压随温度的增添而下降,则它具有负的温度系数。对付损耗来说,这是一个优点。

假如通态电压随温度的增添而增添,则温度系数为正。

在范例的并联利用中,这是一个优点,其缘故原由在于,较热的二极管将遭遇较低电流,从而导致系统的稳定。由于二极管老是存在必然的制造误差,以是在二极管并联时,一个较大年夜的负温度系数(>2mV/K)则有可能孕育发生温升掉衡的危险。

并联的二极管会孕育发生热耦合:1.在多个芯片并联的模块中经由过程基片;2.在多个模块并联于一块散热片时经由过程散热器。

一样平常对付较弱的负温度系数来说,这类热偶合足以避免具有最低通态电压的二极管走向温度掉衡。但对付负温度系数值>2mM/K的二极管,我们则建议降额应用,即总的额定电流该当小于各二极管额定电流的总和。

责任编辑:pj

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